
货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥15.785932 | ¥15.79 |
| 10 | ¥14.178106 | ¥141.78 |
| 25 | ¥13.374777 | ¥334.37 |
| 100 | ¥10.432747 | ¥1043.27 |
| 250 | ¥10.165439 | ¥2541.36 |
制造商 Infineon
商标 Infineon / IR
技术 Si
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) 600 V
饱和电压 2.15 V
栅极/发射极最大电压 20 V
在25 C的连续集电极电流 6.8 A
耗散功率 25 W
高度 9.1 mm
长度 10.6 mm
宽度 4.8 mm
产品种类 IGBT 晶体管
安装风格 Through Hole
产品类型 IGBT Transistors
单位重量 2.300 g
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0IRG4IBC10UDPBF
型号:IRG4IBC10UDPBF
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥15.785932 |
| 10+: | ¥14.178106 |
| 25+: | ¥13.374777 |
| 100+: | ¥10.432747 |
| 250+: | ¥10.165439 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥15.79