BSC0923NDIATMA1
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- 制造商编号：
- BSC0923NDIATMA1
- 制造商：
- INFINEON(英飞凌)
- 产品类别：
- 射频晶体管
- 商品描述：
- MOSFET 2N-CH 30V 17A/32A TISON8
- 渠道：
- digikey
库存 ：5000
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥16.150999 | ￥16.15 |
| 10 | ￥14.42256 | ￥144.23 |
| 25 | ￥13.685848 | ￥342.15 |
| 100 | ￥10.264385 | ￥1026.44 |
| 250 | ￥10.16663 | ￥2541.66 |
| 500 | ￥8.700289 | ￥4350.14 |
| 1000 | ￥7.087313 | ￥7087.31 |
| 2500 | ￥6.989557 | ￥17473.89 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
BSC0923NDIATMA1
制造商
INFINEON(英飞凌)
商品描述
MOSFET 2N-CH 30V 17A/32A TISON8
包装
-
系列
OptiMOS™
零件状态
Active
FET 类型
2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET 功能
Logic Level Gate, 4.5V Drive
漏源电压（Vdss）
30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
17A, 32A
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
5mOhm @ 20A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
10nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
1160pF @ 15V
功率 - 最大值
1W
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/外壳
8-PowerTDFN
供应商器件封装
PG-TISON-8
BSC0923NDIATMA1 同类别型号
注
BSC0923NDIATMA1品牌厂家：INFINEON
，所属分类： 射频晶体管
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替代型号
、BSC0923NDIATMA1
数据手册PDF
。
BSC0923NDIATMA1
型号：BSC0923NDIATMA1
品牌：INFINEON
供货：锐单
库存：5000 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥16.150999 |
| 10+： | ￥14.42256 |
| 25+： | ￥13.685848 |
| 100+： | ￥10.264385 |
| 250+： | ￥10.16663 |
| 500+： | ￥8.700289 |
| 1000+： | ￥7.087313 |
| 2500+： | ￥6.989557 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥16.15