SI5517DU-T1-GE3
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- 制造商编号：
- SI5517DU-T1-GE3
- 制造商：
- SILICONIX(威世)
- 产品类别：
- 射频晶体管
- 商品描述：
- MOSFET N/P-CH 20V 6A CHIPFET
- 渠道：
- digikey
库存 ：1349
货期：国内（1~3工作日）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ ： 需询价 | ||
规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay / Siliconix
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel, P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 6 A
漏源电阻 39 mOhms, 72 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 400 mV
栅极电荷 16 nC, 14 nC
耗散功率 8.3 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 10 ns, 55 ns
正向跨导（Min） 22 S, 9 S
上升时间 65 ns, 35 ns
晶体管类型 1 N-Channel, 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 40 ns, 40 ns
典型接通延迟时间 20 ns, 8 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SI5517DU-GE3
单位重量 85 mg
SI5517DU-T1-GE3 同类别型号
注
SI5517DU-T1-GE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 射频晶体管
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数据手册PDF。
SI5517DU-T1-GE3
型号：SI5517DU-T1-GE3
品牌：SILICONIX
供货：锐单
库存：1349 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
货期：1-2天
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