NVMFD5875NLT1G
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：1500
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1500 | ￥2.657708 | ￥3986.56 |
| 3000 | ￥2.621108 | ￥7863.32 |
| 7500 | ￥2.382799 | ￥17870.99 |
| 10500 | ￥2.272823 | ￥23864.64 |
| 37500 | ￥2.199506 | ￥82481.47 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
NVMFD5875NLT1G
制造商
ON(安森美)
商品描述
MOSFET 2N-CH 60V 7A SO8FL
包装
Tape & Reel (TR)
Alternate Packaging
系列
-
零件状态
Not For New Designs
FET 类型
2 N-Channel (Dual)
FET 功能
Logic Level Gate
漏源电压（Vdss）
60V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
7A
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
33mOhm @ 7.5A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
3V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
20nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
540pF @ 25V
功率 - 最大值
3.2W
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/外壳
8-PowerTDFN
供应商器件封装
8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
NVMFD5875NLT1G 同类别型号
注
NVMFD5875NLT1G
型号：NVMFD5875NLT1G
品牌：ON
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1500+： | ￥2.657708 |
| 3000+： | ￥2.621108 |
| 7500+： | ￥2.382799 |
| 10500+： | ￥2.272823 |
| 37500+： | ￥2.199506 |
货期：1-2天
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