货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥105.462234 | ¥105.46 |
10 | ¥96.94665 | ¥969.47 |
100 | ¥81.879961 | ¥8188.00 |
500 | ¥72.837984 | ¥36418.99 |
1000 | ¥68.499686 | ¥68499.69 |
制造商 IXYS
商标名 HiPerFET
商标 IXYS
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 200 A
漏源电阻 7.5 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 5 V
栅极电荷 235 nC
耗散功率 830 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 90 ns
正向跨导(Min) 60 S
上升时间 35 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 150 ns
典型接通延迟时间 30 ns
高度 26.59 mm
长度 20.29 mm
宽度 5.31 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
类型 Polar HiPerFET Power MOSFET
单位重量 10 g
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0IXFK200N10P
型号:IXFK200N10P
品牌:IXYS
供货:锐单
单价:
1+: | ¥105.462234 |
10+: | ¥96.94665 |
100+: | ¥81.879961 |
500+: | ¥72.837984 |
1000+: | ¥68.499686 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥105.46