
货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥85.127076 | ¥85.13 |
| 10 | ¥78.245582 | ¥782.46 |
| 100 | ¥66.081062 | ¥6608.11 |
| 500 | ¥58.78352 | ¥29391.76 |
| 1000 | ¥55.282318 | ¥55282.32 |
制造商 IXYS
商标名 HiPerFET
商标 IXYS
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 300 V
漏极电流 88 A
漏源电阻 40 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 5 V
栅极电荷 180 nC
耗散功率 600 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 25 ns
正向跨导(Min) 40 S
上升时间 24 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 96 ns
典型接通延迟时间 25 ns
高度 21.46 mm
长度 16.26 mm
宽度 5.3 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
类型 Polar HiPerFET Power MOSFET
单位重量 6 g
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0IXFH88N30P
型号:IXFH88N30P
品牌:IXYS
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥85.127076 |
| 10+: | ¥78.245582 |
| 100+: | ¥66.081062 |
| 500+: | ¥58.78352 |
| 1000+: | ¥55.282318 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥85.13