NVMFD5875NLT1G
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起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥14.592127 | ￥14.59 |
| 10 | ￥13.10458 | ￥131.05 |
| 25 | ￥12.438725 | ￥310.97 |
| 100 | ￥9.327627 | ￥932.76 |
| 250 | ￥9.238091 | ￥2309.52 |
| 500 | ￥7.905816 | ￥3952.91 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
NVMFD5875NLT1G
制造商
ON(安森美)
商品描述
MOSFET 2N-CH 60V 7A SO8FL
包装
Cut Tape (CT)
Alternate Packaging
系列
-
零件状态
Not For New Designs
FET 类型
2 N-Channel (Dual)
FET 功能
Logic Level Gate
漏源电压（Vdss）
60V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
7A
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
33mOhm @ 7.5A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
3V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
20nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
540pF @ 25V
功率 - 最大值
3.2W
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/外壳
8-PowerTDFN
供应商器件封装
8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
NVMFD5875NLT1G 同类别型号
注
NVMFD5875NLT1G
型号：NVMFD5875NLT1G
品牌：ON
供货：锐单
库存：3000 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥14.592127 |
| 10+： | ￥13.10458 |
| 25+： | ￥12.438725 |
| 100+： | ￥9.327627 |
| 250+： | ￥9.238091 |
| 500+： | ￥7.905816 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥14.59