货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥65.20302 | ¥65.20 |
10 | ¥60.023494 | ¥600.23 |
30 | ¥56.865513 | ¥1705.97 |
100 | ¥54.221114 | ¥5422.11 |
制造商 IXYS
商标 IXYS
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 1.5 kV
漏极电流 12 A
漏源电阻 2 Ohms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 4.5 V
栅极电荷 106 nC
耗散功率 890 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 14 ns
正向跨导(Min) 8 S
上升时间 16 ns
典型关闭延迟时间 53 ns
典型接通延迟时间 26 ns
高度 21.46 mm
长度 16.26 mm
宽度 5.3 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
类型 High Voltage Power MOSFET
单位重量 6 g
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0IXTH12N150
型号:IXTH12N150
品牌:IXYS
供货:锐单
单价:
1+: | ¥65.20302 |
10+: | ¥60.023494 |
30+: | ¥56.865513 |
100+: | ¥54.221114 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥65.20