NVMFD5875NLT1G
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| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ ： 需询价 | ||
规格参数
属性
参数值
制造商型号
NVMFD5875NLT1G
制造商
ON(安森美)
商品描述
MOSFET 2N-CH 60V 7A SO8FL
包装
Digi-Reel®
Alternate Packaging
系列
-
零件状态
Not For New Designs
FET 类型
2 N-Channel (Dual)
FET 功能
Logic Level Gate
漏源电压（Vdss）
60V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
7A
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
33mOhm @ 7.5A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
3V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
20nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
540pF @ 25V
功率 - 最大值
3.2W
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/外壳
8-PowerTDFN
供应商器件封装
8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
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注
NVMFD5875NLT1G
型号：NVMFD5875NLT1G
品牌：ON
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