SI7942DP-T1-E3
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请参阅产品规格
- 制造商编号：
- SI7942DP-T1-E3
- 制造商：
- SILICONIX(威世)
- 产品类别：
- 射频晶体管
- 商品描述：
- MOSFET 2N-CH 100V 3.8A PPAK SO-8
- 渠道：
- digikey
库存 ：2621
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥39.716649 | ￥39.72 |
| 10 | ￥35.717689 | ￥357.18 |
| 100 | ￥29.260662 | ￥2926.07 |
| 500 | ￥24.909573 | ￥12454.79 |
| 1000 | ￥21.008062 | ￥21008.06 |
规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 5.9 A
漏源电阻 49 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 24 nC
耗散功率 3.5 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 20 ns
正向跨导（Min） 14 S
上升时间 15 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 35 ns
典型接通延迟时间 15 ns
外形参数
高度 1.04 mm
长度 6.15 mm
宽度 5.15 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SI7942DP-T1
单位重量 506.600 mg
SI7942DP-T1-E3 同类别型号
注
SI7942DP-T1-E3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 射频晶体管
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替代型号
、SI7942DP-T1-E3
数据手册PDF。
SI7942DP-T1-E3
型号：SI7942DP-T1-E3
品牌：SILICONIX
供货：锐单
库存：2621 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥39.716649 |
| 10+： | ￥35.717689 |
| 100+： | ￥29.260662 |
| 500+： | ￥24.909573 |
| 1000+： | ￥21.008062 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥39.72