MSC280SMA120B
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- 制造商编号：
- MSC280SMA120B
- 制造商：
- MICROSEMI(美高森美)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- GEN2 SIC MOSFET 1200V 280MOHM TO
- 渠道：
- digikey
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥134.804219 | ￥134.80 |
| 10 | ￥121.768613 | ￥1217.69 |
| 25 | ￥116.097198 | ￥2902.43 |
| 100 | ￥96.278136 | ￥9627.81 |
| 250 | ￥90.614135 | ￥22653.53 |
| 500 | ￥84.950875 | ￥42475.44 |
| 1000 | ￥76.455738 | ￥76455.74 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
MSC280SMA120B
制造商
MICROSEMI(美高森美)
商品描述
GEN2 SIC MOSFET 1200V 280MOHM TO
包装
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系列
-
零件状态
Active
FET 类型
N-Channel
技术
SiCFET (Silicon Carbide)
漏源电压（Vdss）
1.2kV
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
9.4A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
20V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
350mOhm @ 5A, 20V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
2.8V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
20nC @ 20V
Vgs（最大值）
+25V, -10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
300pF @ 1000V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
55W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型
Through Hole
供应商器件封装
TO-247-3
封装/外壳
TO-247-3
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注
MSC280SMA120B品牌厂家：MICROSEMI
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、MSC280SMA120B
数据手册PDF。
MSC280SMA120B
型号：MSC280SMA120B
品牌：MICROSEMI
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥134.804219 |
| 10+： | ￥121.768613 |
| 25+： | ￥116.097198 |
| 100+： | ￥96.278136 |
| 250+： | ￥90.614135 |
| 500+： | ￥84.950875 |
| 1000+： | ￥76.455738 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥134.80