货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥180.286482 | ¥180.29 |
10 | ¥165.726247 | ¥1657.26 |
100 | ¥139.968838 | ¥13996.88 |
500 | ¥124.511788 | ¥62255.89 |
1000 | ¥114.207403 | ¥114207.40 |
制造商 IXYS
商标名 HiPerFET
商标 IXYS
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 200 V
漏极电流 170 A
漏源电阻 11 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 5 V
栅极电荷 265 nC
耗散功率 1.15 kW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 22 ns
正向跨导(Min) 85 S
上升时间 28 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 80 ns
典型接通延迟时间 33 ns
高度 26.16 mm
长度 19.96 mm
宽度 5.13 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
类型 GigaMOS Power MOSFET
单位重量 10 g
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0IXFK170N20T
型号:IXFK170N20T
品牌:IXYS
供货:锐单
单价:
1+: | ¥180.286482 |
10+: | ¥165.726247 |
100+: | ¥139.968838 |
500+: | ¥124.511788 |
1000+: | ¥114.207403 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥180.29