
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥206.712057 | ¥206.71 |
| 10 | ¥190.017649 | ¥1900.18 |
| 100 | ¥160.484835 | ¥16048.48 |
| 500 | ¥142.762161 | ¥71381.08 |
| 1000 | ¥130.947407 | ¥130947.41 |
制造商 IXYS
商标名 HiPerFET
商标 IXYS
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 200 V
漏极电流 170 A
漏源电阻 11 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 5 V
栅极电荷 265 nC
耗散功率 1.15 kW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 22 ns
正向跨导(Min) 85 S
上升时间 28 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 80 ns
典型接通延迟时间 33 ns
高度 26.16 mm
长度 19.96 mm
宽度 5.13 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
类型 GigaMOS Power MOSFET
单位重量 10 g
购物车
0IXFK170N20T
型号:IXFK170N20T
品牌:IXYS
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥206.712057 |
| 10+: | ¥190.017649 |
| 100+: | ¥160.484835 |
| 500+: | ¥142.762161 |
| 1000+: | ¥130.947407 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥206.71