
货期:国内(1~3工作日)
起订量:10
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 10 | ¥344.051368 | ¥3440.51 |
制造商 IXYS
商标 IXYS
商标名 BIMOSFET
技术 Si
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) 1.7 kV
饱和电压 4.95 V
栅极/发射极最大电压 20 V
在25 C的连续集电极电流 75 A
耗散功率 625 W
集电极连续电流 75 A
集电极连续电流(Max) 350 A
栅极—射极漏泄电流 100 nA
工作温度范围 - 55 C to + 150 C
高度 9.6 mm
长度 38.23 mm
宽度 25.42 mm
产品种类 IGBT 晶体管
安装风格 SMD/SMT
产品类型 IGBT Transistors
单位重量 30 g
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0IXBN75N170A
型号:IXBN75N170A
品牌:IXYS
供货:锐单
单价:
| 10+: | ¥344.051368 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00