
货期: 8周-10周
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥231.685806 | ¥231.69 |
| 10 | ¥212.955494 | ¥2129.55 |
| 100 | ¥179.850348 | ¥17985.03 |
| 500 | ¥159.990247 | ¥79995.12 |
制造商 IXYS
商标 IXYS
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 1.2 kV
漏极电流 12 A
漏源电阻 2 Ohms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 4.5 V
栅极电荷 106 nC
耗散功率 890 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 14 ns
正向跨导(Min) 8 S
上升时间 16 ns
典型关闭延迟时间 53 ns
典型接通延迟时间 26 ns
高度 5.1 mm
长度 14 mm
宽度 16.05 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 High Voltage Power MOSFET
单位重量 6.500 g
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0IXTT12N150
型号:IXTT12N150
品牌:IXYS
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥231.685806 |
| 10+: | ¥212.955494 |
| 100+: | ¥179.850348 |
| 500+: | ¥159.990247 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥231.69