SH8J31GZETB

制造商 ROHM Semiconductor

商标 ROHM Semiconductor

技术 Si

晶体管极性 P-Channel

通道数量 2 Channel

漏源击穿电压 60 V

漏极电流 4.5 A

漏源电阻 50 mOhms, 50 mOhms

栅极电压 - 20 V, + 20 V

栅源极阈值电压 3 V

栅极电荷 40 nC

耗散功率 2 W

通道模式 Enhancement

配置 Dual

下降时间 40 ns, 40 ns

正向跨导（Min） 6.5 S, 6.5 S

上升时间 18 ns, 18 ns

晶体管类型 2 P-Channel

典型关闭延迟时间 100 ns, 100 ns

典型接通延迟时间 17 ns, 17 ns

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

产品类型 MOSFET

零件号别名 SH8J31

单位重量 83 mg