BSP129E6327T
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- 制造商编号：
- BSP129E6327T
- 制造商：
- INFINEON(英飞凌)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223
- 渠道：
- digikey
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：1000
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1000 | ￥5.900658 | ￥5900.66 |
| 2000 | ￥5.403314 | ￥10806.63 |
| 3000 | ￥5.149824 | ￥15449.47 |
| 5000 | ￥4.864971 | ￥24324.85 |
| 7000 | ￥4.696387 | ￥32874.71 |
| 10000 | ￥4.53239 | ￥45323.90 |
| 25000 | ￥4.468902 | ￥111722.55 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
BSP129E6327T
制造商
INFINEON(英飞凌)
商品描述
MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223
包装
Tape & Reel (TR)
系列
SIPMOS®
零件状态
Discontinued at Digi-Key
FET 类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）
240V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
350mA (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
0V, 10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
6Ohm @ 350mA, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
1V @ 108µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
5.7nC @ 5V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
108pF @ 25V
FET 功能
Depletion Mode
功率耗散（最大值）
1.8W (Ta)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商器件封装
PG-SOT223-4
封装/外壳
TO-261-4, TO-261AA
BSP129E6327T 同类别型号
注
BSP129E6327T品牌厂家：INFINEON
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、BSP129E6327T
数据手册PDF
。
BSP129E6327T
型号：BSP129E6327T
品牌：INFINEON
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1000+： | ￥5.900658 |
| 2000+： | ￥5.403314 |
| 3000+： | ￥5.149824 |
| 5000+： | ￥4.864971 |
| 7000+： | ￥4.696387 |
| 10000+： | ￥4.53239 |
| 25000+： | ￥4.468902 |
货期：7-10天
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单价：￥0.00总价：￥0.00