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SI7942DP-T1-GE3

SILICONIX(威世)
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制造商编号:
SI7942DP-T1-GE3
制造商:
SILICONIX(威世)
产品类别:
射频晶体管
商品描述:
MOSFET 2N-CH 100V 3.8A PPAK SO-8
渠道:
digikey

库存 :0

货期: 8周-10周

起订量:1

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
1 37.76191 37.76
10 33.926531 339.27
100 27.795844 2779.58
500 23.662394 11831.20
1000 19.956163 19956.16

规格参数

关键信息

制造商 Vishay

商标名 TrenchFET

商标 Vishay Semiconductors

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 N-Channel

通道数量 2 Channel

漏源击穿电压 100 V

漏极电流 5.9 A

漏源电阻 49 mOhms

栅极电压 - 20 V, + 20 V

栅源极阈值电压 2 V

栅极电荷 24 nC

耗散功率 3.5 W

通道模式 Enhancement

配置 Dual

外形参数

高度 1.04 mm

长度 6.15 mm

宽度 5.15 mm

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

产品类型 MOSFET

零件号别名 SI7942DP-GE3

单位重量 506.600 mg

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SI7942DP-T1-GE3

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型号:SI7942DP-T1-GE3

品牌:SILICONIX

供货:锐单

库存:0 MPQ:4000 MOQ:1

单价:

1+: ¥37.76191
10+: ¥33.926531
100+: ¥27.795844
500+: ¥23.662394
1000+: ¥19.956163

货期:7-10天

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