SH8J62TB1
库存 ：1522
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥4.464298 | ￥4.46 |
| 10 | ￥3.326622 | ￥33.27 |
| 30 | ￥3.110608 | ￥93.32 |
| 100 | ￥2.908994 | ￥290.90 |
| 500 | ￥2.808187 | ￥1404.09 |
规格参数
关键信息
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 4.5 A
漏源电阻 60 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 8 nC
耗散功率 2 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
正向跨导（Min） 3.5 S
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 83 mg
SH8J62TB1 同类别型号
注
SH8J62TB1品牌厂家：ROHM
，所属分类： 射频晶体管
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替代型号
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数据手册PDF。
SH8J62TB1
型号：SH8J62TB1
品牌：ROHM
供货：锐单
库存：1522 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥4.464298 |
| 10+： | ￥3.326622 |
| 30+： | ￥3.110608 |
| 100+： | ￥2.908994 |
| 500+： | ￥2.808187 |
货期：7-10天
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单价：￥0.00总价：￥4.46