货期: 8周-10周
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥13.086395 | ¥13.09 |
10 | ¥10.74072 | ¥107.41 |
100 | ¥8.35307 | ¥835.31 |
500 | ¥7.080234 | ¥3540.12 |
1000 | ¥5.767644 | ¥5767.64 |
制造商 Vishay
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 8 A
漏源电阻 18 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.2 V
栅极电荷 23 nC
耗散功率 22 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 15 ns
正向跨导(Min) 38 S
上升时间 80 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 15 ns
典型接通延迟时间 15 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 506.600 mg
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0SI7972DP-T1-GE3
型号:SI7972DP-T1-GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
1+: | ¥13.086395 |
10+: | ¥10.74072 |
100+: | ¥8.35307 |
500+: | ¥7.080234 |
1000+: | ¥5.767644 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥13.09