商品描述
E-SERIES 900V, 65 MOHM, G3 SIC M
系列
Automotive, AEC-Q101, E
技术
SiCFET (Silicon Carbide)
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
35A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
15V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
84.5mOhm @ 20A, 15V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
3.5V @ 5mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)
30.4nC @ 15V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
660pF @ 600V