CSD86360Q5D
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货期： 8周-10周
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥39.089345 | ￥39.09 |
| 10 | ￥35.153266 | ￥351.53 |
| 25 | ￥33.160795 | ￥829.02 |
| 100 | ￥28.254268 | ￥2825.43 |
| 250 | ￥26.529722 | ￥6632.43 |
| 500 | ￥23.213643 | ￥11606.82 |
| 1000 | ￥19.233994 | ￥19233.99 |
规格参数
关键信息
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 25 V
漏极电流 50 A
漏源电阻 -
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 1 V, 750 mV
栅极电荷 9.7 nC, 23 nC
耗散功率 13 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 4.3 ns, 6.6 ns
正向跨导（Min） 113 S, 169 S
上升时间 20.4 ns, 14.8 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 14.5 ns, 29.3 ns
典型接通延迟时间 8.4 ns, 9.5 ns
外形参数
高度 1.5 mm
长度 6 mm
宽度 5 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 Synchronous Buck MOSFET Driver
单位重量 170 mg
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注
CSD86360Q5D品牌厂家：TI
，所属分类： 射频晶体管
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CSD86360Q5D
型号：CSD86360Q5D
品牌：TI
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥39.089345 |
| 10+： | ￥35.153266 |
| 25+： | ￥33.160795 |
| 100+： | ￥28.254268 |
| 250+： | ￥26.529722 |
| 500+： | ￥23.213643 |
| 1000+： | ￥19.233994 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥39.09