货期: 8周-10周
起订量:800
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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800 | ¥153.237592 | ¥122590.07 |
制造商 UnitedSiC
商标名 SiC FET
商标 UnitedSiC
技术 SiC
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 650 V
漏极电流 65 A
漏源电阻 27 mOhms
栅极电压 - 25 V, + 25 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 51 nC
耗散功率 242 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 15 ns
上升时间 16 ns
典型关闭延迟时间 57 ns
典型接通延迟时间 32 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 3 g
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0UF3C065030B3
型号:UF3C065030B3
品牌:SiC
供货:锐单
单价:
800+: | ¥153.237592 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥0.00