UF3C065030B3
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- 制造商编号：
- UF3C065030B3
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 650V 65A TO263
- 渠道：
- digikey
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥253.409799 | ￥253.41 |
| 10 | ￥232.860124 | ￥2328.60 |
| 100 | ￥196.659305 | ￥19665.93 |
规格参数
关键信息
制造商 UnitedSiC
商标名 SiC FET
商标 UnitedSiC
技术类参数
技术 SiC
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 650 V
漏极电流 65 A
漏源电阻 27 mOhms
栅极电压 - 25 V, + 25 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 51 nC
耗散功率 242 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 15 ns
上升时间 16 ns
典型关闭延迟时间 57 ns
典型接通延迟时间 32 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 3 g
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注
UF3C065030B3品牌厂家：SiC
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、UF3C065030B3
数据手册PDF。
UF3C065030B3
型号：UF3C065030B3
品牌：SiC
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥253.409799 |
| 10+： | ￥232.860124 |
| 100+： | ￥196.659305 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥253.41