STL20DN10F7
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规格参数
属性
参数值
制造商型号
STL20DN10F7
制造商
ST(意法半导体)
商品描述
MOSFET 2N-CH 100V 20A PWRFLAT56
包装
Digi-Reel®
Alternate Packaging
系列
DeepGATE™, STripFET™ VII
零件状态
Obsolete
FET 类型
2 N-Channel (Dual)
FET 功能
Standard
漏源电压（Vdss）
100V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
20A
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
67mOhm @ 2.5A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
4.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
7.8nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
408pF @ 50V
功率 - 最大值
62.5W
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/外壳
8-PowerVDFN
供应商器件封装
PowerFlat™ (5x6)
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注
STL20DN10F7品牌厂家：ST
，所属分类： 射频晶体管
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STL20DN10F7
型号：STL20DN10F7
品牌：ST
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