货期: 8周-10周
起订量:2500
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
2500 | ¥8.559265 | ¥21398.16 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 32 A
漏源电阻 25 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 20.1 nC
耗散功率 2.8 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 5.4 ns
上升时间 6 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 14.2 ns
典型接通延迟时间 4.4 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 97 mg
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0DMNH6021SPDWQ-13
型号:DMNH6021SPDWQ-13
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
2500+: | ¥8.559265 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥0.00