STL160N3LLH6
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- 制造商编号：
- STL160N3LLH6
- 制造商：
- ST(意法半导体)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 30V 160A POWERFLAT56
- 渠道：
- digikey
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：12
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 12 | ￥14.183362 | ￥170.20 |
| 20 | ￥13.637854 | ￥272.76 |
| 50 | ￥13.092344 | ￥654.62 |
| 100 | ￥12.546836 | ￥1254.68 |
| 300 | ￥12.001328 | ￥3600.40 |
| 500 | ￥11.455819 | ￥5727.91 |
| 1000 | ￥10.910311 | ￥10910.31 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
STL160N3LLH6
制造商
ST(意法半导体)
商品描述
MOSFET N-CH 30V 160A POWERFLAT56
包装
Tape & Reel (TR)
系列
DeepGATE™, STripFET™ VI
零件状态
Active
FET 类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）
30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
160A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
1.3mOhm @ 17.5A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
61.5nC @ 4.5V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
6375pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
136W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商器件封装
PowerFlat™ (5x6)
封装/外壳
8-PowerVDFN
STL160N3LLH6 同类别型号
注
STL160N3LLH6品牌厂家：ST
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、STL160N3LLH6
数据手册PDF。
STL160N3LLH6
型号：STL160N3LLH6
品牌：ST
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 12+： | ￥14.183362 |
| 20+： | ￥13.637854 |
| 50+： | ￥13.092344 |
| 100+： | ￥12.546836 |
| 300+： | ￥12.001328 |
| 500+： | ￥11.455819 |
| 1000+： | ￥10.910311 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00