商品描述
GANFET 3 N-CH 100V 9BGA
包装
Tape & Reel (TR)
Alternate Packaging
FET 类型
3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap)
FET 功能
GaNFET (Gallium Nitride)
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
1.7A, 500mA
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
320mOhm @ 2A, 5V, 3.3Ohm @ 2A, 5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)
0.16nC @ 5V, 0.044nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
16pF @ 50V, 7pF @ 50V
供应商器件封装
9-BGA (1.35x1.35)