货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥120.294252 | ¥120.29 |
10 | ¥110.580285 | ¥1105.80 |
100 | ¥93.394512 | ¥9339.45 |
500 | ¥83.080993 | ¥41540.50 |
制造商 IXYS
商标 IXYS
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 1 kV
漏极电流 10 A
漏源电阻 1.5 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 4.5 V
栅极电荷 200 nC
耗散功率 695 W
通道模式 Depletion
配置 Single
下降时间 164 ns
正向跨导(Min) 11 S
上升时间 36 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 33 ns
典型接通延迟时间 33 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 6 g
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0IXTH10N100D2
型号:IXTH10N100D2
品牌:IXYS
供货:锐单
单价:
1+: | ¥120.294252 |
10+: | ¥110.580285 |
100+: | ¥93.394512 |
500+: | ¥83.080993 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥120.29