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SQJ260EP-T1_GE3

SILICONIX(威世)
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制造商编号:
SQJ260EP-T1_GE3
制造商:
SILICONIX(威世)
产品类别:
射频晶体管
商品描述:
MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8
渠道:
digikey

库存 :2996

货期:(7~10天)

起订量:1

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
1 17.10402 17.10
10 15.335834 153.36
100 11.953169 1195.32
500 9.874799 4937.40
1000 7.795852 7795.85

规格参数

关键信息

制造商 Vishay

商标名 TrenchFET

商标 Vishay / Siliconix

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 N-Channel

通道数量 2 Channel

漏源击穿电压 60 V

漏极电流 20 A, 54 A

漏源电阻 15.5 mOhms, 7 mOhms

栅极电压 - 20 V, + 20 V

栅源极阈值电压 2.5 V

栅极电荷 12 nC, 25 nC

耗散功率 27 W, 48 W

通道模式 Enhancement

配置 Dual

下降时间 10 ns , 11 ns

正向跨导(Min) 26 S, 49 S

上升时间 2 ns, 3 ns

晶体管类型 2 N-Channel

典型关闭延迟时间 18 ns , 26 ns

典型接通延迟时间 10 ns , 14 ns

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

资格 AEC-Q101

产品类型 MOSFET

单位重量 506.600 mg

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SQJ260EP-T1_GE3

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型号:SQJ260EP-T1_GE3

品牌:SILICONIX

供货:锐单

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10+: ¥15.335834
100+: ¥11.953169
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