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制造商 Taiwan Semiconductor
商标 Taiwan Semiconductor
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 29 A
漏源电阻 25 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 23 nC
耗散功率 48 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 18 ns
正向跨导(Min) 33 S
上升时间 19 ns
晶体管类型 Dual N-Channel Power MOSFET
典型关闭延迟时间 14 ns
典型接通延迟时间 1 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 TSM250NB06LDCR
单位重量 372.608 mg
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0TSM250NB06LDCR RLG
型号:TSM250NB06LDCR RLG
品牌:Taiwan Semiconductor
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