货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥23.344676 | ¥23.34 |
10 | ¥20.929312 | ¥209.29 |
100 | ¥16.826658 | ¥1682.67 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 7.7 A
漏源电阻 35 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 700 mV
栅极电荷 40.5 nC
耗散功率 2.1 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 30.6 ns
上升时间 14.8 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 50.5 ns
典型接通延迟时间 7.9 ns
高度 1.5 mm
长度 5 mm
宽度 4 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 MOSFET
单位重量 750 mg
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0ZXMN2A04DN8TA
型号:ZXMN2A04DN8TA
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
1+: | ¥23.344676 |
10+: | ¥20.929312 |
100+: | ¥16.826658 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥23.34