DF23MR12W1M1B11BOMA1
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- 制造商编号：
- DF23MR12W1M1B11BOMA1
- 制造商：
- INFINEON(英飞凌)
- 产品类别：
- 射频晶体管
- 商品描述：
- MOSFET MODULE 1200V 25A
- 渠道：
- digikey
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ ： 需询价 | ||
规格参数
关键信息
制造商 Infineon
产品 Power MOSFET Modules
商标 Infineon Technologies
商标名 CoolSIC
技术类参数
正向电压 4 V
栅极电压 - 10 V, 20 V
配置 Dual
下降时间 13 ns
漏极电流 25 A
工作电源电压 -
耗散功率 20 mW
漏源电阻 45 mOhms
上升时间 7.2 ns
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
典型关闭延迟时间 38.5 ns
典型接通延迟时间 11.5 ns
漏源击穿电压 1200 V
栅源极阈值电压 3.5 V
物理类型
产品种类 分立半导体模块
类型 SiC Power MOSFET
安装风格 Press Fit
产品类型 Discrete Semiconductor Modules
零件号别名 DF23MR12W1M1_B11 SP001602244
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注
DF23MR12W1M1B11BOMA1品牌厂家：INFINEON
，所属分类： 射频晶体管
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替代型号
、DF23MR12W1M1B11BOMA1
数据手册PDF
。
DF23MR12W1M1B11BOMA1
型号：DF23MR12W1M1B11BOMA1
品牌：INFINEON
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
货期：7-10天
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单价：￥0.00总价：￥0.00