TSM110NB04LDCR RLG
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- 制造商编号：
- TSM110NB04LDCR RLG
- 产品类别：
- 射频晶体管
- 商品描述：
- DUAL N-CHANNEL POWER MOSFET 40V,
- 渠道：
- digikey
库存 ：4235
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥14.828255 | ￥14.83 |
| 10 | ￥12.13674 | ￥121.37 |
| 100 | ￥9.435257 | ￥943.53 |
| 500 | ￥7.997538 | ￥3998.77 |
| 1000 | ￥6.514838 | ￥6514.84 |
规格参数
关键信息
制造商 Taiwan Semiconductor
商标 Taiwan Semiconductor
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 40 V
漏极电流 48 A
漏源电阻 11 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 23 nC
耗散功率 48 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 13 ns
正向跨导（Min） 34 S
上升时间 20 ns
晶体管类型 Dual N-Channel Power MOSFET
典型关闭延迟时间 13 ns
典型接通延迟时间 1 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 TSM110NB04LDCR
单位重量 372.608 mg
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注
TSM110NB04LDCR RLG品牌厂家：Taiwan Semiconductor
，所属分类： 射频晶体管
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替代型号
、TSM110NB04LDCR RLG
数据手册PDF。
TSM110NB04LDCR RLG
型号：TSM110NB04LDCR RLG
品牌：Taiwan Semiconductor
供货：锐单
库存：4235 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥14.828255 |
| 10+： | ￥12.13674 |
| 100+： | ￥9.435257 |
| 500+： | ￥7.997538 |
| 1000+： | ￥6.514838 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥14.83