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UJ3C120080K3S

SiC(碳化硅(SiC)功率半导体制造商)
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制造商编号:
UJ3C120080K3S
制造商:
SiC(碳化硅(SiC)功率半导体制造商)
产品类别:
晶体管-FET,MOSFET-单个
商品描述:
1200V 80 MOHM SIC CASCODE, G3, T
渠道:
国内现货
digikey

库存 :有货

货期:国内(1~3工作日)

起订量:1

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
1 86.73744 86.74
10 79.740278 797.40
100 67.34498 6734.50
500 59.9078 29953.90
1000 54.949965 54949.96

规格参数

关键信息

制造商 UnitedSiC

商标名 SiC FET

商标 UnitedSiC

技术类参数

技术 SiC

晶体管极性 N-Channel

通道数量 1 Channel

漏源击穿电压 1.2 kV

漏极电流 33 A

漏源电阻 100 mOhms

栅极电压 - 25 V, + 25 V

栅源极阈值电压 4 V

栅极电荷 51 nC

耗散功率 254.2 W

通道模式 Enhancement

配置 Single

下降时间 14 ns

上升时间 14 ns

典型关闭延迟时间 61 ns

典型接通延迟时间 22 ns

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 Through Hole

资格 AEC-Q101

产品类型 MOSFET

单位重量 6 g

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型号:UJ3C120080K3S

品牌:SiC

供货:锐单

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单价:

1+: ¥86.73744
10+: ¥79.740278
100+: ¥67.34498
500+: ¥59.9078
1000+: ¥54.949965

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