
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥209.021067 | ¥209.02 |
| 30 | ¥169.264633 | ¥5077.94 |
| 120 | ¥159.307772 | ¥19116.93 |
| 510 | ¥144.372551 | ¥73630.00 |
| 1020 | ¥132.424349 | ¥135072.84 |
制造商 UnitedSiC
商标名 SiC FET
商标 UnitedSiC
技术 SiC
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 1.2 kV
漏极电流 33 A
漏源电阻 100 mOhms
栅极电压 - 25 V, + 25 V
栅源极阈值电压 6 V
栅极电荷 51 nC
耗散功率 254.2 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 10 ns
上升时间 13 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 43 ns
典型接通延迟时间 33 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 6 g
购物车
0UF3C120080K4S
型号:UF3C120080K4S
品牌:SiC
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥209.021067 |
| 30+: | ¥169.264633 |
| 120+: | ¥159.307772 |
| 510+: | ¥144.372551 |
| 1020+: | ¥132.424349 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥209.02