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数量 | 价格 | 总计 |
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1+ : 需询价 |
制造商 onsemi
商标 onsemi
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) 400 V
饱和电压 1.3 V
栅极/发射极最大电压 10 V
在25 C的连续集电极电流 26.9 A
耗散功率 166 W
栅极—射极漏泄电流 25 uA
产品种类 IGBT 晶体管
安装风格 SMD/SMT
产品类型 IGBT Transistors
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0FGD3440G2-F085V
型号:FGD3440G2-F085V
品牌:ON
供货:锐单
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