货期: 8周-10周
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥35.96395 | ¥35.96 |
10 | ¥32.35599 | ¥323.56 |
25 | ¥30.519632 | ¥762.99 |
100 | ¥26.005057 | ¥2600.51 |
250 | ¥24.417557 | ¥6104.39 |
500 | ¥21.365362 | ¥10682.68 |
1000 | ¥17.702706 | ¥17702.71 |
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 40 A
漏源电阻 -
栅极电压 - 8 V, + 10 V
栅源极阈值电压 1.1 V, 750 mV
栅极电荷 16 nC, 20 nC
耗散功率 12 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 4 ns, 4.6 ns
正向跨导(Min) 135 S, 160 S
上升时间 16 ns, 10 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 20 ns, 23 ns
典型接通延迟时间 10 ns, 8.5 ns
高度 1.5 mm
长度 6 mm
宽度 5 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 316.400 mg
购物车
0CSD87353Q5D
型号:CSD87353Q5D
品牌:TI
供货:锐单
单价:
1+: | ¥35.96395 |
10+: | ¥32.35599 |
25+: | ¥30.519632 |
100+: | ¥26.005057 |
250+: | ¥24.417557 |
500+: | ¥21.365362 |
1000+: | ¥17.702706 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥35.96