CSD87353Q5D
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货期： 8周-10周
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥41.235381 | ￥41.24 |
| 10 | ￥37.098585 | ￥370.99 |
| 25 | ￥34.993061 | ￥874.83 |
| 100 | ￥29.816761 | ￥2981.68 |
| 250 | ￥27.996571 | ￥6999.14 |
| 500 | ￥24.497 | ￥12248.50 |
| 1000 | ￥20.297487 | ￥20297.49 |
规格参数
关键信息
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 40 A
漏源电阻 -
栅极电压 - 8 V, + 10 V
栅源极阈值电压 1.1 V, 750 mV
栅极电荷 16 nC, 20 nC
耗散功率 12 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 4 ns, 4.6 ns
正向跨导（Min） 135 S, 160 S
上升时间 16 ns, 10 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 20 ns, 23 ns
典型接通延迟时间 10 ns, 8.5 ns
外形参数
高度 1.5 mm
长度 6 mm
宽度 5 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 316.400 mg
CSD87353Q5D 同类别型号
注
CSD87353Q5D品牌厂家：TI
，所属分类： 射频晶体管
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替代型号
、CSD87353Q5D
数据手册PDF
。
CSD87353Q5D
型号：CSD87353Q5D
品牌：TI
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥41.235381 |
| 10+： | ￥37.098585 |
| 25+： | ￥34.993061 |
| 100+： | ￥29.816761 |
| 250+： | ￥27.996571 |
| 500+： | ￥24.497 |
| 1000+： | ￥20.297487 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥41.24