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数量 | 价格 | 总计 |
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1+ : 需询价 |
制造商 onsemi
商标名 PowerTrench
商标 onsemi / Fairchild
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 40 V
漏极电流 80 A
漏源电阻 3.5 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 142 nC
耗散功率 188 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 13.5 ns
上升时间 17.9 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 55 ns
典型接通延迟时间 18.4 ns
高度 16.3 mm
长度 10.67 mm
宽度 4.7 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
类型 Power Trench MOSFET
零件号别名 FDP8443_F085
单位重量 2 g
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0FDP8443-F085
型号:FDP8443-F085
品牌:ON
供货:锐单
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