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起订量:3000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
3000 | ¥6.402107 | ¥19206.32 |
6000 | ¥6.097297 | ¥36583.78 |
9000 | ¥5.815782 | ¥52342.04 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel, P-Channel
通道数量 4 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 2.9 A, 2.3 A
漏源电阻 111 mOhms, 191 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V, 3 V
栅极电荷 9.7 nC, 17.5 nC
耗散功率 2.1 W
通道模式 Enhancement
配置 Quad
下降时间 12.8 ns, 34.4 ns
正向跨导(Min) -
上升时间 11.1 ns, 14.9 ns
晶体管类型 2 N-Channel, 2 P-Channel
典型关闭延迟时间 42.6 ns, 57.4 ns
典型接通延迟时间 10.5 ns, 9.1 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 10 mg
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0DMHC10H170SFJ-13
型号:DMHC10H170SFJ-13
品牌:DIODES
供货:锐单
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3000+: | ¥6.402107 |
6000+: | ¥6.097297 |
9000+: | ¥5.815782 |
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