SCTW35N65G2V
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- 制造商编号：
- SCTW35N65G2V
- 制造商：
- ST(意法半导体)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- SILICON CARBIDE POWER MOSFET 650
- 渠道：
- 国内现货digikey
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：30
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 30 | ￥80.605221 | ￥2418.16 |
| 90 | ￥75.863182 | ￥6827.69 |
| 300 | ￥73.492737 | ￥22047.82 |
| 750 | ￥68.751272 | ￥51563.45 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
SCTW35N65G2V
制造商
ST(意法半导体)
商品描述
SILICON CARBIDE POWER MOSFET 650
包装
-
系列
Automotive, AEC-Q101
零件状态
Active
FET 类型
N-Channel
技术
SiCFET (Silicon Carbide)
漏源电压（Vdss）
650V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
45A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
18V, 20V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
67mOhm @ 20A, 20V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
5V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
73nC @ 20V
Vgs（最大值）
+22V, -10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
1370pF @ 400V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
240W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 200°C (TJ)
安装类型
Through Hole
供应商器件封装
HiP247™
封装/外壳
TO-247-3
SCTW35N65G2V 同类别型号
注
SCTW35N65G2V品牌厂家：ST
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、SCTW35N65G2V
数据手册PDF。
SCTW35N65G2V
型号：SCTW35N65G2V
品牌：ST
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 30+： | ￥80.605221 |
| 90+： | ￥75.863182 |
| 300+： | ￥73.492737 |
| 750+： | ￥68.751272 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00