TSM110NB04DCR RLG
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- 制造商编号：
- TSM110NB04DCR RLG
- 产品类别：
- 射频晶体管
- 商品描述：
- DUAL N-CHANNEL POWER MOSFET 40V,
- 渠道：
- digikey
库存 ：36
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥35.290063 | ￥35.29 |
| 10 | ￥31.693191 | ￥316.93 |
| 100 | ￥25.475354 | ￥2547.54 |
| 500 | ￥20.930265 | ￥10465.13 |
| 1000 | ￥17.342081 | ￥17342.08 |
规格参数
关键信息
制造商 Taiwan Semiconductor
商标 Taiwan Semiconductor
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 40 V
漏极电流 48 A
漏源电阻 11 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 25 nC
耗散功率 48 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 5 ns
正向跨导（Min） 40 S
上升时间 10 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 15 ns
典型接通延迟时间 7 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 TSM110NB04DCR
单位重量 372.608 mg
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注
TSM110NB04DCR RLG品牌厂家：Taiwan Semiconductor
，所属分类： 射频晶体管
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替代型号
、TSM110NB04DCR RLG
数据手册PDF。
TSM110NB04DCR RLG
型号：TSM110NB04DCR RLG
品牌：Taiwan Semiconductor
供货：锐单
库存：36 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥35.290063 |
| 10+： | ￥31.693191 |
| 100+： | ￥25.475354 |
| 500+： | ￥20.930265 |
| 1000+： | ￥17.342081 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥35.29