货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥321.271343 | ¥321.27 |
30 | ¥214.318582 | ¥6429.56 |
120 | ¥213.88762 | ¥25666.51 |
制造商 IXYS
商标 IXYS
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 1.7 kV
漏极电流 2 A
漏源电阻 6.5 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 4.5 V
栅极电荷 110 nC
耗散功率 568 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
晶体管类型 1 N-Channel
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 6 g
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0IXTH2N170D2
型号:IXTH2N170D2
品牌:IXYS
供货:锐单
单价:
1+: | ¥321.271343 |
30+: | ¥214.318582 |
120+: | ¥213.88762 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥321.27