QS8M51TR
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：3000
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 3000 | ￥3.382575 | ￥10147.73 |
| 6000 | ￥3.294716 | ￥19768.30 |
规格参数
关键信息
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel, P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 2 A, 1.5 A
漏源电阻 325 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V, 2.5 V
栅极电荷 4.7 nC, 17 nC
耗散功率 1.5 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
晶体管类型 1 N-Channel, 1 P-Channel
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 QS8M51
单位重量 10 mg
QS8M51TR 同类别型号
注
QS8M51TR
型号：QS8M51TR
品牌：ROHM
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 3000+： | ￥3.382575 |
| 6000+： | ￥3.294716 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00