
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥186.864228 | ¥186.86 |
| 10 | ¥171.705416 | ¥1717.05 |
| 25 | ¥164.593526 | ¥4114.84 |
| 100 | ¥142.351158 | ¥14235.12 |
| 250 | ¥137.902684 | ¥34475.67 |
| 500 | ¥129.005736 | ¥64502.87 |
| 1000 | ¥118.3294 | ¥118329.40 |
| 2500 | ¥111.211841 | ¥278029.60 |
| 5000 | ¥106.763368 | ¥533816.84 |
制造商 IXYS
商标名 HiPerFET
商标 IXYS
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 36 A
漏源电阻 105 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 200 nC
耗散功率 360 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 24 ns
正向跨导(Min) 63 S
上升时间 23 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 79 ns
典型接通延迟时间 28 ns
高度 21.34 mm
长度 16.13 mm
宽度 5.21 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 6 g
购物车
0IXFR64N60P
型号:IXFR64N60P
品牌:IXYS
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥186.864228 |
| 10+: | ¥171.705416 |
| 25+: | ¥164.593526 |
| 100+: | ¥142.351158 |
| 250+: | ¥137.902684 |
| 500+: | ¥129.005736 |
| 1000+: | ¥118.3294 |
| 2500+: | ¥111.211841 |
| 5000+: | ¥106.763368 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥186.86