TSM250NB06DCR RLG
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- 制造商编号：
- TSM250NB06DCR RLG
- 产品类别：
- 射频晶体管
- 商品描述：
- DUAL N-CHANNEL POWER MOSFET 60V,
- 渠道：
- digikey
库存 ：17314
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥36.136007 | ￥36.14 |
| 10 | ￥32.508614 | ￥325.09 |
| 100 | ￥26.132401 | ￥2613.24 |
| 500 | ￥21.470857 | ￥10735.43 |
| 1000 | ￥17.790087 | ￥17790.09 |
规格参数
关键信息
制造商 Taiwan Semiconductor
商标 Taiwan Semiconductor
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 30 A
漏源电阻 25 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 22 nC
耗散功率 2 W, 48 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 3 ns
正向跨导（Min） 36 S
上升时间 9 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 14 ns
典型接通延迟时间 7 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 TSM250NB06DCR
单位重量 372.608 mg
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注
TSM250NB06DCR RLG品牌厂家：Taiwan Semiconductor
，所属分类： 射频晶体管
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替代型号
、TSM250NB06DCR RLG
数据手册PDF。
TSM250NB06DCR RLG
型号：TSM250NB06DCR RLG
品牌：Taiwan Semiconductor
供货：锐单
库存：17314 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥36.136007 |
| 10+： | ￥32.508614 |
| 100+： | ￥26.132401 |
| 500+： | ￥21.470857 |
| 1000+： | ￥17.790087 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥36.14