QS8M51TR
库存 ：18000
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥16.978732 | ￥16.98 |
| 10 | ￥15.201624 | ￥152.02 |
| 100 | ￥11.855682 | ￥1185.57 |
| 500 | ￥9.794012 | ￥4897.01 |
| 1000 | ￥7.732115 | ￥7732.12 |
规格参数
关键信息
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel, P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 2 A, 1.5 A
漏源电阻 325 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V, 2.5 V
栅极电荷 4.7 nC, 17 nC
耗散功率 1.5 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
晶体管类型 1 N-Channel, 1 P-Channel
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 QS8M51
单位重量 10 mg
QS8M51TR 同类别型号
注
QS8M51TR
型号：QS8M51TR
品牌：ROHM
供货：锐单
库存：18000 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥16.978732 |
| 10+： | ￥15.201624 |
| 100+： | ￥11.855682 |
| 500+： | ￥9.794012 |
| 1000+： | ￥7.732115 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥16.98