FDG6303N_G
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定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ ： 需询价 | ||
规格参数
属性
参数值
制造商型号
FDG6303N_G
制造商
ON(安森美)
商品描述
INTEGRATED CIRCUIT
包装
Bulk
系列
-
零件状态
Obsolete
FET 类型
2 N-Channel (Dual)
FET 功能
Logic Level Gate
漏源电压（Vdss）
25V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
500mA
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
450mOhm @ 500mA, 4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
1.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
2.3nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
50pF @ 10V
功率 - 最大值
300mW
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/外壳
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供应商器件封装
SC-88 (SC-70-6)
FDG6303N_G 同类别型号
注
FDG6303N_G
型号：FDG6303N_G
品牌：ON
供货：锐单
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