IXTD3N60P-2J
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- 制造商编号：
- IXTD3N60P-2J
- 制造商：
- IXYS(艾赛斯.力特)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 600
- 渠道：
- digikey
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整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
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规格参数
属性
参数值
制造商型号
IXTD3N60P-2J
制造商
IXYS(艾赛斯.力特)
商品描述
MOSFET N-CH 600
包装
Bulk
系列
PolarHV™
零件状态
Obsolete
FET 类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）
600V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
3A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
2.9Ohm @ 1.5A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
5.5V @ 50µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
9.8nC @ 10V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
411pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
70W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商器件封装
Die
封装/外壳
Die
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注
IXTD3N60P-2J品牌厂家：IXYS
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、IXTD3N60P-2J
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IXTD3N60P-2J
型号：IXTD3N60P-2J
品牌：IXYS
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
货期：7-10天
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