SIZ918DT-T1-GE3
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- 制造商编号：
- SIZ918DT-T1-GE3
- 制造商：
- SILICONIX(威世)
- 产品类别：
- 射频晶体管
- 商品描述：
- MOSFET 2N-CH 30V 16A POWERPAIR
- 渠道：
- digikey
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥18.559491 | ￥18.56 |
| 10 | ￥16.547699 | ￥165.48 |
| 100 | ￥12.903806 | ￥1290.38 |
| 500 | ￥10.659666 | ￥5329.83 |
| 1000 | ￥8.415524 | ￥8415.52 |
规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 16 A, 28 A
漏源电阻 12 mOhms, 3.7 mOhms
栅极电压 - 10 V, + 10 V
栅源极阈值电压 1 V, 1.2 V
栅极电荷 14 nC, 67.3 nC
耗散功率 29 W, 100 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 10 ns, 10 ns
正向跨导（Min） 47 S, 116 S
上升时间 12 ns, 22 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 20 ns, 40 ns
典型接通延迟时间 10 ns, 15 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SIZ918DT-GE3
单位重量 337.318 mg
SIZ918DT-T1-GE3 同类别型号
注
SIZ918DT-T1-GE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 射频晶体管
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、SIZ918DT-T1-GE3
数据手册PDF。
SIZ918DT-T1-GE3
型号：SIZ918DT-T1-GE3
品牌：SILICONIX
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥18.559491 |
| 10+： | ￥16.547699 |
| 100+： | ￥12.903806 |
| 500+： | ￥10.659666 |
| 1000+： | ￥8.415524 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥18.56