SIZ904DT-T1-GE3
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- 制造商编号：
- SIZ904DT-T1-GE3
- 制造商：
- SILICONIX(威世)
- 产品类别：
- 射频晶体管
- 商品描述：
- MOSFET 2N-CH 30V 12A POWERPAIR
- 渠道：
- digikey
库存 ：3000
货期：（7~10天）
起订量：3000
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 3000 | ￥6.847741 | ￥20543.22 |
| 6000 | ￥6.225218 | ￥37351.31 |
| 15000 | ￥5.937901 | ￥89068.51 |
| 30000 | ￥5.746356 | ￥172390.68 |
规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 12 A, 16 A
漏源电阻 24 mOhms, 13.5 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V, 1.2 V
栅极电荷 12 nC, 23 nC
耗散功率 20 W, 33 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 10 ns
正向跨导（Min） 17 S, 24 S
上升时间 12 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 13 ns
典型接通延迟时间 15 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SIZ904DT-GE3
单位重量 337.318 mg
SIZ904DT-T1-GE3 同类别型号
注
SIZ904DT-T1-GE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 射频晶体管
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、SIZ904DT-T1-GE3
数据手册PDF。
SIZ904DT-T1-GE3
型号：SIZ904DT-T1-GE3
品牌：SILICONIX
供货：锐单
库存：3000 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 3000+： | ￥6.847741 |
| 6000+： | ￥6.225218 |
| 15000+： | ￥5.937901 |
| 30000+： | ￥5.746356 |
货期：7-10天
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单价：￥0.00总价：￥0.00